Caracterização de dosímetros semicondutores para dosimetria in Vivo na técnica de TBI

Caroline Castilhano Sampaio, Caroline Zeppellini Santos Emiliozzi, Laura Furnari

Resumo


A técnica de irradiação de corpo inteiro (TBI) é considerada uma técnica de alta a complexidade em radioterapia já que exige campos alargados. Os esquemas de cálculo para fazer a determinação exata da distribuição da dose no TBI são complexos e variações na posição do paciente alteram dramaticamente as distribuições de dose. Sendo assim é desejável ter uma técnica de medição in vivo disponível. Os diodos semicondutores são robustos, relativamente baratos e fornecem leituras on-line para inferência imediata de dose o que é uma grande vantagem em comparação com o processo de reaquecimento prolongado requerido para um dosímetro termoluminescente (TLD). O objetivo deste trabalho é a caracterização e validação do diodo semicondutor (T600010L PTW) para utilização em medidas in vivo, e em tempo real, da dose liberada em um tratamento de irradiação de corpo inteiro. Os dosímetros devem ser caracterizados e calibrados para sua utilização na técnica em questão. Sendo assim foi feito o estudo da reprodutibilidade, da linearidade e da dependência da resposta dos diodos com a taxa de dose, com a distância fonte-detector (SSD) e com o ângulo de incidência do feixe de radiação. A calibração dos diversos diodos foi realizada por intercomparação com uma câmara de ionização Farmer e sua verificação foi feita com a simulação de um tratamento em um phantom antropomórfico RANDO®. Uma vez que o dosímetro mostrou-se adequado e com variações menores que 1%, estabeleceram-se limites de ação para dosimetria in vivo de acordo com a região a ser tratada e levando em conta fatores de incertezas que não são intrínsecos ao detector. O valor máximo encontrado para o limite de ação foi de 9,6% na região do joelho.


Palavras-chave


dosimetria in vivo; dosímetro semicondutor; diodo; radioterapia; TBI

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DOI: http://dx.doi.org/10.29384/rbfm.2018.v12.n1.p22-28

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