TY - JOUR AU - Resende, Guilherme R. A. AU - Sales, Camila P. AU - Santos, Gabriela R. AU - Gialluisi, Bruno L. AU - Habtizreuter, Ângela B. AU - Rodrigues, Laura N. PY - 2015/10/12 Y2 - 2024/03/29 TI - Avaliação dosimétrica de um detector microMOSFET JF - Revista Brasileira de Física Médica JA - Rev Bras Fis Med VL - 4 IS - 2 SE - Artigo Original DO - 10.29384/rbfm.2010.v4.n2.p49-53 UR - https://rbfm.org.br/rbfm/article/view/78 SP - 49-53 AB - Este trabalho teve como objetivo caracterizar um dosímetro mMOSFET em feixe de fótons de alta energia por meio da avaliação dos parâmetros de desempenho, tais como: estabilidade; linearidade com a dose; dependência com a taxa de dose, dependência energética; distância fonte-detector e fator campo. Outras características analisadas foram a capacidade de determinação da porcentagem de dose profunda (PDP) na região de build-up, e a influência em sua leitura devida à irradiação de seu cabo e do lado oposto ao volume sensível. A PDP e o fator campo obtidos com o mMOSFET foram comparados com dados medidos com uma câmara de ionização (CI) cilíndrica de 0,6 cm3 . Comparando os fatores de calibração obtidos para 6 e 15 MV, verificou-se que o dosímetro apresenta uma certa dependência energética, sendo ele mais sensível para feixes de 6 MV, em média, +3,2%. A estabilidade do conjunto foi alcançada 30 minutos após ligá-lo, sendo a variação máxima das leituras de 4% até 30 minutos e após este intervalo de tempo de 2,3%. O dosímetro mostrou-se linear na faixa de dose medida (23,6 a 661,6 cGy), com um coeficiente de correlação de 0,999 e a variação das medidas foi da ordem de 1,5%. O mMOSFET apresentou baixa dependência com a taxa de dose, tendo um desvio de 0,2% com relação as leituras médias nas taxas de dose utilizadas. A fim de avaliar o efeito haste, foi irradiado o maior comprimento do cabo, não sendo encontrado um aumento significativo em sua leitura –2,4% ± 2,6% (erro maior que a medida). Verificando a influência de se irradiar o lado oposto ao do volume sensível do mMOSFET, observa-se que isso não interfere em sua resposta. Foi possível verificar a lei do inverso do quadrado da distância utilizando-se o mMOSFET com erro máximo de 3,4% para um campo de 10x10 cm2 . A comparação entre as PDPs obtidas com o mMOSFET e câmara de ionização foi feita analisando-se a razão das leituras nas profundidades de 20 e 10 cm (PDP20,10), sendo a diferença encontrada de 0,5%. Já a diferença entre as profundidades de dose máxima foi de -1 mm com o mMOSFET. Comparou-se o fator campo e obteve-se um desvio médio de 1,8%. Concluiu-se que o mMOSFET após um tempo mínimo de estabilização, é linear e apresenta baixa dependência com a taxa de dose, porém necessita ser calibrado para cada qualidade de feixe utilizado devido a sua dependência energética. Um problema observado foi seu baixo limite de saturação, em torno de 200 Gy ou 20.000 mV. ER -